IPB05CN10N G
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPB05CN10N G |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 100A, 10V |
Verlustleistung (max) | 300W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12000 pF @ 50 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 181 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 100A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPB05C |
IPB05CN10N G Einzelheiten PDF [English] | IPB05CN10N G PDF - EN.pdf |
IPB055N03L G INFINEON
INFINEON TO-263
INFINEON P-TO263-3-2
IPB057N08N3G INF
INFINEO TO-263
INFINEON TO263
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
IPB05N03L INFINEO
MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK
IPB055N03LG INFINEON
IPB05CN10NG IGBT Module
INFINEO TO-263
IPB05CN10N3G Original
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
IPB057N06N INFINEO
IPB05N03L E3045A INFINEO
INFINEON TO-263
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
2024/03/21
2024/09/19
2024/06/11
2024/06/6
IPB05CN10N GInfineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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